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Prix |
Désignation |
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2SK1530 , Toshiba - N-FET 200V 12A 150W
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2SD1049-FUJ - Si-N 120V 25A 100W
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2SK1191 , Sanken - N-FET 60V 30A 40W 0.03e
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BU2725D , Philips - Si-N+d 1700V 12A 125w
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BUX98A - Si-N 450V 30A 250W
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IRF640FP
Philips transistor >=1W, IRF640FP. |
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2N3821 - N-FET 50V 2.5mA 0.3w
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MJH11019 , Motorola - Si-P 200V 15A 150W
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MJH11022 , Motorola - Si-N 250V 15A 150W
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BUV48AF - Si-N 1000V 15A 65w
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BUZ345 , SIE - N-FET 100V 41A 150W
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STW8NB100 , ST - N-FET 1000V 8A 190 1.5e
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2SC4387 , Sanken - Si-N 200V 10A 80W 20MHz
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2SJ162 , Hitachi - p-fet 160V 7A 100W 1e
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2SK1058 , Hitachi - N-FET 160V 7A 100W 1e
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2SK2039 , Toshiba - N-FET 900V 5A 150W <2e5
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STP11NM80 , ST - N-FET 800V 11A 150W 0.4e
FET. N-FET 800V 11A 150W 0.4E 17NS. Boîtier: TO220. Marque: ST-Microelectronics. |
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IRFP150 - MOSFET de Puissance N-channel 100V-40A
type n°: IRFP150description: n-chvaleurs nominales: 100V-40A-180W-0.055ohmboîtier: TO-247 |
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2SC3461 , Sanyo - Si-N 1100/800V 8A 120W
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2SK851 , Toshiba - N-FET 200V 30A 150W
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2SK1938-FEC - N-FET 500V 18A 100W 0.25e
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2SJ200 , Toshiba - p-fet 180V 10A 120W
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IRFP450 - MOSFET de Puissance N-channel 500V-14A
type n°: IRFP450description: n-chvaleurs nominales: 500V-14A-180Wboîtier: TO3P |
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2SA1494 , Sanken - Si-P 200V 17A 200W 20MHz
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THD200FI , ST - Si-N 1500V 10A 60W
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P4NB100 - N-FET 900V 3A 100W <5e3
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BUW1015 , ST - Si-N 1500V 14A 160W 0.11u
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2SD1113K , Hitachi - n-darl+d 300V 6A 40W
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BU941P , ST - n-darl 500V 15A 150W
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LM395T
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2SC5331 , Toshiba - Si-N 1500V 15A 180W
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2SC5144 , Toshiba - Si-N 1700V 20A 200W
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2SK1531 , Toshiba - N-FET 500V 15A 150W e45
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IRFP240 - MOSFET de Puissance N-channel 200V-18A
type n°: IRFP240description: n-chvaleurs nominales: 200V-20A-150Wboîtier: TO3P |
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2SC3306 , Toshiba - Si-N 500V 10A 100W 1us
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W13NB60 - N-FET 600V 12.5A 250W 0.5
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2N5884 - Si-P 80V 25A 200W afpowsw
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